Samsung habría completado el desarrollo de un prototipo funcional de una memoria 3D NAND de 900 capas, un salto técnico importante dentro de la carrera por aumentar la densidad de los chips de almacenamiento. Según medios surcoreanos, la compañía ha logrado construir este prototipo uniendo dos estructuras NAND de 450 capas mediante una tecnología denominada
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